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- 產(chǎn)品型號：256080
- 頻率：0.016MHz~670MHz
- 尺寸：5.0*3.2mm
- 產(chǎn)品介紹：差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理...
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IDT晶振,貼片晶振,XUN晶振,OSC晶振
IDT晶振,貼片晶振,XUN晶振,OSC晶振,差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。
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| 型號 | 符號 | XUN(5032) |
| 輸出規(guī)格 | - | HCSL |
| 輸出頻率范圍 | fo | 0.016?670MHz |
| 電源電壓 | VCC | +2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -40?+85℃ |
| 運行溫度范圍 | T_use | -10?+70℃ ,-40?+85℃ |
| 消耗電流 | ICC | 30mA max. (fo≦170MHz), |
| 待機時電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負(fù)載 | Load-R | 50Ω |
| 波形對稱 | SYM | 45?55% [at outputs cross point] |
| 0電平電壓 | VOL | -0.15?0.15V |
| 1電平電壓 | VOH | 0.58?0.85V |
| 上升時間 下降時間 | tr, tf | 0.5ns max. [0.175?0.525V Level] |
| 差分輸出電壓 | ⊿VOD1, VOD2 | - |
| 差分輸出誤差 | ⊿VOD | - |
| 補償電壓 | VOS | - |
| 補償電壓誤差 | ⊿VOS | - |
| 交叉點電壓 | Vcr | 250?550mV |
| OE端子0電平輸入電壓 | VIL | VCC×0.3 max. |
| OE端子1電平輸入電壓 | VIH | VCC×0.7 min. |
| 輸出禁用時間 | tPLZ | 200ns |
| 輸出使能時間 | tPZL | 2ms |
| 周期抖動（1） | tRMS | 5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
| tp-p | 33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) | |
| 總抖動（1） | tTL | 50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
| 相位抖動 | tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz] |
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以下是設(shè)計振蕩回路
產(chǎn)品設(shè)計人員在設(shè)計振蕩回路的注意事項
1. 驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明石英晶體振蕩器所需電功率,其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示石英晶振的有效電阻,而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
| 石英晶振的等效電路 | 振蕩電路 |
2. 振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。
| 晶振和石英晶體振蕩器 | 負(fù)極電阻檢查 |
|
將電阻(r)跟晶振按串聯(lián)方式連接到電路。 調(diào)整(r),使得 振蕩發(fā)生（或停止）。 當(dāng)振蕩剛啟動（或停止）時,如（2）所述,測量(r)。 推薦的(r) (r) > CI ×(5至 10) |
3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中晶振的負(fù)載電容不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。IDT晶振,貼片晶振,XUN晶振,OSC晶振
| 頻率和負(fù)載電容特征圖器 | 振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考 |
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